IXGR50N60B - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

IXGR50N60B - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: IXGR50N60B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 110 nC
   Тип корпуса: ISOPLUS247

Аналог (замена) для IXGR50N60B

IXGR50N60B Datasheet (PDF)

..1. Size:563K ixys
ixgr50n60b.pdf

VCES = 600 VIXGR 50N60BHiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AIXGR 50N60BD1ISOPLUS247TMVCE(sat) = 2.5 V(Electrically Isolated Back Surface)tfi(typ) = 85 ns(D1)Symbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCE Isolated Backside*IC25 TC = 25

0.1. Size:514K ixys
ixgr50n60b2.pdf

IXGR 50N60B2VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGR 50N60B2D1IC25 = 68 AISOPLUS247TMVCE(sat) = 2.2 VB2-Class High Speed IGBTstfi(typ) = 65 ns(Electrically Isolated Back Surface)Preliminary Data SheetIXGR_B2 IXGR_B2D1Symbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247VCES TJ = 25C to 150C 600 V (IXGR)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VG(ISOLATED TAB)VGES C

0.2. Size:563K ixys
ixgr50n60bd1.pdf