IXGR50N60B - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGR50N60B

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF

Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXGR50N60B

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGR50N60B даташит

 ..1. Size:563K  ixys
 ixgr50n60b.pdf pdf_icon

IXGR50N60B

 0.1. Size:514K  ixys
 ixgr50n60b2.pdf pdf_icon

IXGR50N60B

IXGR 50N60B2 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGR 50N60B2D1 IC25 = 68 A ISOPLUS247TM VCE(sat) = 2.2 V B2-Class High Speed IGBTs tfi(typ) = 65 ns (Electrically Isolated Back Surface) Preliminary Data Sheet IXGR_B2 IXGR_B2D1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V (IXGR) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G (ISOLATED TAB) VGES C

 0.2. Size:563K  ixys
 ixgr50n60bd1.pdf pdf_icon

IXGR50N60B

 0.3. Size:514K  ixys
 ixgr50n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGR50N60B

IXGR 50N60B2 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGR 50N60B2D1 IC25 = 68 A ISOPLUS247TM VCE(sat) = 2.2 V B2-Class High Speed IGBTs tfi(typ) = 65 ns (Electrically Isolated Back Surface) Preliminary Data Sheet IXGR_B2 IXGR_B2D1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V (IXGR) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G (ISOLATED TAB) VGES C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGR40N60C2, IXGR40N60C2D1, IXGR40N60CD1, IXGR48N60B3, IXGR48N60B3D1, IXGR48N60C3D1, IXGR50N160H1, IXGR50N60A2U1, IRG4PC40W, IXGR50N60B2, IXGR50N60B2D1, IXGR50N60BD1, IXGR50N60C2, IXGR50N60C2D1, IXGR50N90B2D1, IXGR55N120A3H1, IXGR60N60B2