IXGR60N60B2D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGR60N60B2D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 340 pF

Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXGR60N60B2D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGR60N60B2D1 даташит

 ..1. Size:511K  ixys
 ixgr60n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGR60N60B2D1

Advance Technical Data IXGR 60N60B2 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGR 60N60B2D1 IC25 = 75 A ISOPLUS247TM VCE(sat) = 2.0 V B2-Class High Speed IGBTs tfi(typ) = 100 ns (Electrically Isolated Back Surface) D1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS247(IXGR) E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V C (ISOLAT

 3.1. Size:511K  ixys
 ixgr60n60b2.pdf pdf_icon

IXGR60N60B2D1

Advance Technical Data IXGR 60N60B2 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGR 60N60B2D1 IC25 = 75 A ISOPLUS247TM VCE(sat) = 2.0 V B2-Class High Speed IGBTs tfi(typ) = 100 ns (Electrically Isolated Back Surface) D1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS247(IXGR) E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V C (ISOLAT

 5.1. Size:109K  ixys
 ixgr60n60u1.pdf pdf_icon

IXGR60N60B2D1

VCES = 600 V Low VCE(sat) IGBT IXGR 60N60U1 IC25 = 75 A with Diode VCE(sat) = 1.7 V ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface) Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247TM VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C IC25 TC = 25 C 75 A E Isolated back surface* IC100

 5.2. Size:505K  ixys
 ixgr60n60c2.pdf pdf_icon

IXGR60N60B2D1

IXGR 60N60C2 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGR 60N60C2D1 IC25 = 75 A ISOPLUS247TM VCE(sat) = 2.7 V Lightspeed 2TM Series tfi(typ) = 35 ns (Electrically Isolated Back Surface) Preliminary Data Sheet IXGR_C2 IXGR_C2D1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V (IXGR) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (ISOLATED TAB) VGES Conti

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGR50N60B2, IXGR50N60B2D1, IXGR50N60BD1, IXGR50N60C2, IXGR50N60C2D1, IXGR50N90B2D1, IXGR55N120A3H1, IXGR60N60B2, IRGP4063, IXGR60N60C2, IXGR60N60C2C1, IXGR60N60C2D1, IXGR60N60C3C1, IXGR60N60C3D1, IXGR64N60A3, IXGR6N170A, IXGR72N60A3