Справочник IGBT. 1MB15D-060

 

1MB15D-060 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 1MB15D-060
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 33 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для 1MB15D-060

 

 

1MB15D-060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  fuji
 1mb15d-060.pdf

1MB15D-060 1MB15D-060

Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawingnn Featuresn Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductancen Applicationsn High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supplyn Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuitn n Absolute Maxim

Другие IGBT... TGH80N65F2D2 , 1MB03D-120 , 1MB05-120 , 1MB05D-120 , 1MB08-120 , 1MB08D-120 , 1MB10-120 , 1MB10D-120 , RJP30H1DPD , 1MB20-060 , 1MB20D-060 , 1MB30-060 , 1MBC03-120 , 1MBC05-060 , 1MBC05D-060 , 1MBC10-060 , 1MBC10D-060 .

 

 
Back to Top