1MB15D-060 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: 1MB15D-060  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 33 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для 1MB15D-060

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

1MB15D-060 даташит

 ..1. Size:222K  fuji
 1mb15d-060.pdf pdf_icon

1MB15D-060

Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawing n n Features n Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductance n Applications n High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supply n Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuit n n Absolute Maxim

Другие IGBT... TGH80N65F2D2, 1MB03D-120, 1MB05-120, 1MB05D-120, 1MB08-120, 1MB08D-120, 1MB10-120, 1MB10D-120, RJP30H2A, 1MB20-060, 1MB20D-060, 1MB30-060, 1MBC03-120, 1MBC05-060, 1MBC05D-060, 1MBC10-060, 1MBC10D-060