IXGR72N60A3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGR72N60A3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 52(110°C) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 360 pF

Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXGR72N60A3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGR72N60A3 даташит

 ..1. Size:183K  ixys
 ixgr72n60a3.pdf pdf_icon

IXGR72N60A3

VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGR72N60A3 IC110 = 52A VCE(sat) 1.35V Ultra-low Vsat PT IGBTs for up to 5kHz switching tfi(typ) = 250ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247TM (IXGR) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E153432 VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC110 TC = 110 C 52 A G ICM TC

 0.1. Size:219K  ixys
 ixgr72n60a3h1.pdf pdf_icon

IXGR72N60A3

Advance Technical Information GenX3TM 600V IGBT VCES = 600V IXGR72N60A3H1 w/Diode IC110 = 52A VCE(sat) 1.35V (Electrically Isolated Back Surface) tfi(typ) = 250ns Ultra-Low Vsat PT IGBT for up to 5kHz Switching Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous

 5.1. Size:211K  ixys
 ixgr72n60c3d1.pdf pdf_icon

IXGR72N60A3

TM VCES = 600V GenX3 600V IGBT IXGR72N60C3D1 IC110 = 35A with Diode VCE(sat) 2.7V High-Speed Low-Vsat PT IGBT tfi(typ) = 55ns 40-100 kHz Switching Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C Isolated Tab E IC25 TC = 25

 5.2. Size:210K  ixys
 ixgr72n60b3d1.pdf pdf_icon

IXGR72N60A3

Preliminary Technical Information GenX3TM B3-Class VCES = 600V IXGR72N60B3D1 IGBT w/Diode IC110 = 40A VCE(sat) 1.80V (Electrically Isolated Back Surface) tfi(typ) = 90ns Medium Speed Low Vsat PT IGBTs for 5-40 kHz Switching ISOPLUS 247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGR60N60B2D1, IXGR60N60C2, IXGR60N60C2C1, IXGR60N60C2D1, IXGR60N60C3C1, IXGR60N60C3D1, IXGR64N60A3, IXGR6N170A, GT30J124, IXGR72N60A3H1, IXGR72N60B3D1, IXGR72N60B3H1, IXGR72N60C3D1, IXGT10N170, IXGT10N170A, IXGT15N120B2D1, IXGT16N170