Справочник IGBT. IXGT25N160

 

IXGT25N160 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGT25N160
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.7(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 236 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 94 pF
   Тип корпуса: TO268
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT25N160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  ixys
ixgt25n160.pdfpdf_icon

IXGT25N160

VCES = 1600 VIXGH 25N160High Voltage IGBTIC25 = 75 AIXGT 25N160VCE(sat)= 2.5 VFor Capacitor DischargeApplicationsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 1600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1600 VVGES Continuous 20 VGC C (TAB)VGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C 75 ATO-268 (IXGT)IC110

 ..2. Size:142K  ixys
ixgh25n160 ixgt25n160.pdfpdf_icon

IXGT25N160

VCES = 1600 VIXGH 25N160High Voltage IGBTIC25 = 75 AIXGT 25N160VCE(sat)= 2.5 VFor Capacitor DischargeApplicationsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 1600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1600 VVGES Continuous 20 VGC C (TAB)VGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C 75 ATO-268 (IXGT)IC110

 7.1. Size:173K  ixys
ixgt25n250.pdfpdf_icon

IXGT25N160

Preliminary Technical InformationIXGH25N250 VCES = 2500 VHigh Voltage IGBTIXGT25N250 IC25 = 60 AFor Capacitor DischargeApplications IXGV25N250S VCE(sat) 2.9 VTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 2500 V CC (TAB)EVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 2500 VVGES Continuous 20 VTO-268 (IXGT)VGEM Transi

 7.2. Size:188K  ixys
ixgt25n250hv.pdfpdf_icon

IXGT25N160

Advance Technical InformationVCES = 2500VHigh Voltage IGBT IXGT25N250HVIC110 = 25AFor Capacitor DischargeApplicationsVCE(sat) 2.9VTO-268GESymbol Test Conditions Maximum RatingsC (Tab)VCES TJ = 25C to 150C 2500 VG = Gate C = CollectorVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VE = Emiiter Tab = CollectorVGES Continuous 20 VVGEM Tra

Другие IGBT... IXGT16N170AH1 , IXGT20N120 , IXGT20N120B , IXGT20N140C3H1 , IXGT22N170 , IXGT24N170 , IXGT24N170A , IXGT24N170AH1 , FGH60N60SFD , IXGT25N250 , IXGT28N120B , IXGT28N120BD1 , IXGT28N60BD1 , IXGT2N250 , IXGT30N120B3D1 , IXGT30N60B , IXGT30N60B2 .

History: IXGH42N30C3 | DL2G50SH6N | MMG200DR120B | IXGT30N60C3D1 | SKM100GB173D | HYG30P120H1K1 | IKY40N120CH3

 

 
Back to Top

 


 
.