IXGT28N120BD1 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXGT28N120BD1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
Тип корпуса: TO268
Аналог (замена) для IXGT28N120BD1
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXGT28N120BD1 даташит
ixgt28n120bd1.pdf
High Voltage IGBT VCES = 1200V IXGH28N120BD1 w/ Diode IC25 = 50A IXGT28N120BD1 VCE(sat) 3.5V tfi(typ) = 170ns TO-247AD (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V C E (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V TO-268 (IXGT) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C ( Chip Capability ) 50 A I
ixgh28n120b ixgt28n120b.pdf
IXGH 28N120B VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXGT 28N120B IC25 = 50 A VCE(sat) = 3.5 V tfi(typ) = 160 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C50 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 110 C28 A ICM TC = 25 C, 1 ms 150 A
ixgt28n120b.pdf
IXGH 28N120B VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXGT 28N120B IC25 = 50 A VCE(sat) = 3.5 V tfi(typ) = 160 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C50 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 110 C28 A ICM TC = 25 C, 1 ms 150 A
ixgt28n60b.pdf
Low VCE(sat) IGBT IXGH 28N60B VCES = 600 V IXGT 28N60B IC25 = 40 A VCE(sat) = 2.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-247 AD IC25 TC = 25 C40 A (IXGH) IC90 TC = 90 C28 A ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A C (TAB) SSOA VGE = 15 V,
Другие IGBT... IXGT20N140C3H1, IXGT22N170, IXGT24N170, IXGT24N170A, IXGT24N170AH1, IXGT25N160, IXGT25N250, IXGT28N120B, FGH60N60SFD, IXGT28N60BD1, IXGT2N250, IXGT30N120B3D1, IXGT30N60B, IXGT30N60B2, IXGT30N60B2D1, IXGT30N60C2, IXGT30N60C2D1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt










