IXGT30N60C2D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGT30N60C2D1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 140 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 70 nC
Тип корпуса: TO268
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXGT30N60C2D1 Datasheet (PDF)
ixgh30n60c2d1 ixgt30n60c2d1.pdf

VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60C2D1IC25 = 70 AIXGT 30N60C2D1with DiodeVCE(sat) = 2.7 VC2-Class High Speed IGBTstfi typ = 32 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C (limited by leads) 70 AIC11
ixgt30n60c2d1.pdf

VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60C2D1IC25 = 70 AIXGT 30N60C2D1with DiodeVCE(sat) = 2.7 VC2-Class High Speed IGBTstfi typ = 32 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C (limited by leads) 70 AIC11
ixgh30n60c2 ixgt30n60c2.pdf

VCES = 600 VIXGH 30N60C2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 70 AIXGT 30N60C2VCE(sat) = 2.7 VC2-Class High Speed IGBTstfi typ = 32 nsTO-268 (IXGT)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VGE C (TAB)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (limited by leads) 70 ATO-247 (IXGH)IC110 TC =
ixgt30n60c2.pdf

VCES = 600 VIXGH 30N60C2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 70 AIXGT 30N60C2VCE(sat) = 2.7 VC2-Class High Speed IGBTstfi typ = 32 nsTO-268 (IXGT)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VGE C (TAB)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (limited by leads) 70 ATO-247 (IXGH)IC110 TC =
Другие IGBT... IXGT28N120BD1 , IXGT28N60BD1 , IXGT2N250 , IXGT30N120B3D1 , IXGT30N60B , IXGT30N60B2 , IXGT30N60B2D1 , IXGT30N60C2 , YGW60N65F1A1 , IXGT30N60C3D1 , IXGT32N100A3 , IXGT32N120A3 , IXGT32N170 , IXGT32N170A , IXGT32N60C , IXGT32N90B2 , IXGT32N90B2D1 .
History: STGF7NC60HD
History: STGF7NC60HD



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent