Справочник IGBT. IXGT32N170A

 

IXGT32N170A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGT32N170A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 32 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 57 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF
   Тип корпуса: TO268
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT32N170A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  ixys
 ixgh32n170a ixgt32n170a.pdf pdf_icon

IXGT32N170A

IXGH 32N170AVCES = 1700 VHigh VoltageIXGT 32N170AIC25 = 32 AIGBTVCE(sat) = 5.0 Vtfi(typ) = 50 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C32 ATO-247 AD (IXGH)IC90 TC = 90C21 AICM TC = 25C, 1 ms 110 A

 ..2. Size:569K  ixys
 ixgt32n170a.pdf pdf_icon

IXGT32N170A

IXGH 32N170AVCES = 1700 VHigh VoltageIXGT 32N170AIC25 = 32 AIGBTVCE(sat) = 5.0 Vtfi(typ) = 50 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C32 ATO-247 AD (IXGH)IC90 TC = 90C21 AICM TC = 25C, 1 ms 110 A

 4.1. Size:573K  ixys
 ixgt32n170.pdf pdf_icon

IXGT32N170A

High Voltage IXGH 32N170 VCES = 1700 VIXGT 32N170 IC25 = 75 AIGBTVCE(sat) = 3.3 Vtfi(typ) = 250 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C75 ATO-247 AD (IXGH)IC90 TC = 90C32 AICM TC

 4.2. Size:577K  ixys
 ixgh32n170 ixgt32n170.pdf pdf_icon

IXGT32N170A

High Voltage IXGH 32N170 VCES = 1700 VIXGT 32N170 IC25 = 75 AIGBTVCE(sat) = 3.3 Vtfi(typ) = 250 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C75 ATO-247 AD (IXGH)IC90 TC = 90C32 AICM TC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGT30N60B2 , IXGT30N60B2D1 , IXGT30N60C2 , IXGT30N60C2D1 , IXGT30N60C3D1 , IXGT32N100A3 , IXGT32N120A3 , IXGT32N170 , SGT50T65FD1PN , IXGT32N60C , IXGT32N90B2 , IXGT32N90B2D1 , IXGT35N120B , IXGT35N120C , IXGT39N60B , IXGT39N60BD1 , IXGT40N120A2 .

History: 2MBI200TA-060 | TGH80N65F2D2 | IRG4IBC10UDPBF | BSM50GB120DLC | 6MBI225V-120-50 | 2MBI1200U4G-120

 

 
Back to Top

 


 
.