Справочник IGBT. IXGT32N60C

 

IXGT32N60C Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGT32N60C
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 190 pF
   Тип корпуса: TO268
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT32N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  ixys
 ixgt32n60c.pdf pdf_icon

IXGT32N60C

IXGH 32N60C VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGT 32N60C IC25 = 60 ALightspeedTM SeriesVCE(sat)typ = 2.1 Vtfi typ = 55 nsTO-268Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VGE C (TAB)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C60 ATO-247 AD (IXGH)IC110 TC = 110C32 AICM TC =

 0.1. Size:163K  ixys
 ixgt32n60cd1.pdf pdf_icon

IXGT32N60C

IXGH 32N60CD1 VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGT 32N60CD1 IC25 = 60 Awith DiodeVCE(SAT)typ = 2.1 Vtfi(typ) = 55 nsLight Speed SeriesTO-247 AD (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VGVGES Continuous 20 VC (TAB)CVGEM Transient 30 V EIC25 TC = 25C60 AIC90 TC = 90C32 ATO-268 (D

 5.1. Size:125K  ixys
 ixgt32n60bd1.pdf pdf_icon

IXGT32N60C

IXGH 32N60BHiPerFASTTM IGBT VCES = 600 VIXGT 32N60BIC25 = 60 AIXGH 32N60BD1VCE(sat) = 2.3 VIXGT 32N60BD1tfi(typ) = 85 ns(D1)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-268(IXGT)GVCES TJ = 25C to 150C 600 VECVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V(TAB)VGES Continuous 20 VTO-247 ADVGEM Transient 30 V(IXGH)IC25 TC = 25C60 AIC90 TC = 90C3

 5.2. Size:125K  ixys
 ixgt32n60b.pdf pdf_icon

IXGT32N60C

IXGH 32N60BHiPerFASTTM IGBT VCES = 600 VIXGT 32N60BIC25 = 60 AIXGH 32N60BD1VCE(sat) = 2.3 VIXGT 32N60BD1tfi(typ) = 85 ns(D1)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-268(IXGT)GVCES TJ = 25C to 150C 600 VECVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V(TAB)VGES Continuous 20 VTO-247 ADVGEM Transient 30 V(IXGH)IC25 TC = 25C60 AIC90 TC = 90C3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGT30N60B2D1 , IXGT30N60C2 , IXGT30N60C2D1 , IXGT30N60C3D1 , IXGT32N100A3 , IXGT32N120A3 , IXGT32N170 , IXGT32N170A , RJH3047 , IXGT32N90B2 , IXGT32N90B2D1 , IXGT35N120B , IXGT35N120C , IXGT39N60B , IXGT39N60BD1 , IXGT40N120A2 , IXGT40N120B2D1 .

History: 2MBI200TA-060 | ISL9V3036S3S | IQGB228N120GB4 | HIA30N140IH-DA | 2MBI1200U4G-170 | IXYP20N65B3D1

 

 
Back to Top

 


 
.