IXGT40N60B - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGT40N60B

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 310 pF

Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXGT40N60B

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT40N60B даташит

 ..1. Size:291K  ixys
 ixgh40n60b ixgt40n60b.pdf pdf_icon

IXGT40N60B

IXGH 40N60B VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGT 40N60B IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.1 V tfi = 180 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C75 A IC110 TC = 110 C40 A TO-268 (D3) ICM TC = 25 C

 0.1. Size:575K  ixys
 ixgt40n60b2.pdf pdf_icon

IXGT40N60B

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 40N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A IXGT 40N60B2 VCE(sat)

 0.2. Size:513K  ixys
 ixgt40n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGT40N60B

VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 40N60B2D1 IC25 = 75 A IXGT 40N60B2D1 VCE(sat)

 0.3. Size:606K  ixys
 ixgh40n60b2d1 ixgt40n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGT40N60B

VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 40N60B2D1 IC25 = 75 A IXGT 40N60B2D1 VCE(sat)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGT32N90B2, IXGT32N90B2D1, IXGT35N120B, IXGT35N120C, IXGT39N60B, IXGT39N60BD1, IXGT40N120A2, IXGT40N120B2D1, JT075N065WED, IXGT40N60B2, IXGT40N60B2D1, IXGT40N60C, IXGT40N60C2, IXGT40N60C2D1, IXGT45N120, IXGT4N250C, IXGT50N60B2