IXGT45N120 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXGT45N120
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 255 pF
Тип корпуса: TO268
Аналог (замена) для IXGT45N120
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXGT45N120 даташит
ixgt45n120.pdf
IXGH 45N120 VCES = 1200 V IXGT 45N120 IC25 = 75 A IGBT VCE(sat) = 2.5 V High Voltage, Low VCE(sat) tfi(typ) = 390 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C, limited by leads 75 A TO-247 AD (I
ixgh40n60c2d1 ixgt40n60c2d1 ixgg40n60c2d1.pdf
HiPerFASTTM IGBT IXGH40N60C2D1 VCES = 600V IXGT40N60C2D1 IC25 = 75A with Diode IXGJ40N60C2D1 VCE(SAT) 2.7V tfi(typ) = 32ns C2-Class High Speed IGBTs TO-247(IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C (TAB) C E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V TO-268 (D3) ( IXGT) VGEM Transient 30 V
ixgh40n60b ixgt40n60b.pdf
IXGH 40N60B VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGT 40N60B IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.1 V tfi = 180 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C75 A IC110 TC = 110 C40 A TO-268 (D3) ICM TC = 25 C
ixgt40n120a2.pdf
IXGH 40N120A2 IXGT 40N120A2 IXGH 40N120A2 VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXGT 40N120A2 IC25 = 75 A Low VCE(sat) VCE(sat) 2.0 V Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXFH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C IC25 TC = 25 C, IGBT chip capabilit
Другие IGBT... IXGT40N120A2, IXGT40N120B2D1, IXGT40N60B, IXGT40N60B2, IXGT40N60B2D1, IXGT40N60C, IXGT40N60C2, IXGT40N60C2D1, IRG4PC50U, IXGT4N250C, IXGT50N60B2, IXGT50N60C2, IXGT50N90B2, IXGT60N60B2, IXGT60N60C2, IXGT60N60C3D1, IXGT64N60A3
History: IXGK82N120A3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855














