IXGT6N170 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGT6N170

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 23 pF

Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXGT6N170

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT6N170 даташит

 ..1. Size:181K  ixys
ixgt6n170 ixgh6n170.pdfpdf_icon

IXGT6N170

VCES = 1700V High Voltage IXGT6N170 IC90 = 6A IGBT IXGH6N170 VCE(sat) 4.0V tfi(typ) = 290ns TO-268 (IXGT) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G E VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V C (Tab) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V VGES Continuous 20 V TO-247 (IXGH) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 12 A IC90 TC =

 ..2. Size:78K  ixys
ixgt6n170.pdfpdf_icon

IXGT6N170

IXGH 6N170 High Voltage VCES = 1700 V IXGT 6N170 IC25 = 12 A IGBT VCE(sat) = 4.0 V tfi(typ) = 290 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C12 A TO-247 AD (IXGH) IC90 TC = 90 C6 A ICM TC = 25 C, 1 ms 24 A SSOA

 0.1. Size:197K  ixys
ixgt6n170ahv.pdfpdf_icon

IXGT6N170

Advance Technical Information High Voltage VCES = 1700V IXGT6N170AHV IC25 = 6A IGBT VCE(sat) 7.0V tfi(typ) = 32ns TO-268 G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V G = Gate C = Collector VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V E = Emiiter Tab = Collector VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC

 0.2. Size:197K  ixys
ixgt6n170a ixgh6n170a.pdfpdf_icon

IXGT6N170

VCES = 1700V High Voltage IXGT6N170A IC25 = 6A IGBT IXGH6N170A VCE(sat) 7.0V tfi(typ) = 32ns TO-268 (IXGT) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G E VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V C (Tab) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V VGES Continuous 20 V TO-247 (IXGH) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 6 A IC110 TC

Другие IGBT... IXGT50N60B2, IXGT50N60C2, IXGT50N90B2, IXGT60N60B2, IXGT60N60C2, IXGT60N60C3D1, IXGT64N60A3, IXGT64N60B3, IRG4PC50W, IXGT6N170A, IXGT72N60A3, IXGT72N60B3, IXGV25N250S, IXGX100N170, IXGX120N120A3, IXGX120N120B3, IXGX120N60A3