IXGT6N170 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGT6N170
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 23 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 20 nC
Тип корпуса: TO268
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXGT6N170 Datasheet (PDF)
ixgt6n170 ixgh6n170.pdf

VCES = 1700VHigh Voltage IXGT6N170IC90 = 6AIGBT IXGH6N170VCE(sat) 4.0Vtfi(typ) = 290nsTO-268 (IXGT)Symbol Test Conditions Maximum Ratings GEVCES TC = 25C to 150C 1700 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VTO-247 (IXGH)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 12 AIC90 TC =
ixgt6n170.pdf

IXGH 6N170High Voltage VCES = 1700 VIXGT 6N170IC25 = 12 AIGBTVCE(sat) = 4.0 Vtfi(typ) = 290 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C12 ATO-247 AD (IXGH)IC90 TC = 90C6 AICM TC = 25C, 1 ms 24 ASSOA
ixgt6n170ahv.pdf

Advance Technical InformationHigh Voltage VCES = 1700VIXGT6N170AHVIC25 = 6AIGBTVCE(sat) 7.0Vtfi(typ) = 32nsTO-268GESymbol Test Conditions Maximum RatingsC (Tab)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VG = Gate C = CollectorVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VE = Emiiter Tab = CollectorVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC
ixgt6n170a ixgh6n170a.pdf

VCES = 1700VHigh Voltage IXGT6N170AIC25 = 6AIGBT IXGH6N170AVCE(sat) 7.0Vtfi(typ) = 32nsTO-268 (IXGT)Symbol Test Conditions Maximum Ratings GEVCES TC = 25C to 150C 1700 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VTO-247 (IXGH)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 6 AIC110 TC
Другие IGBT... IXGT50N60B2 , IXGT50N60C2 , IXGT50N90B2 , IXGT60N60B2 , IXGT60N60C2 , IXGT60N60C3D1 , IXGT64N60A3 , IXGT64N60B3 , GT30F132 , IXGT6N170A , IXGT72N60A3 , IXGT72N60B3 , IXGV25N250S , IXGX100N170 , IXGX120N120A3 , IXGX120N120B3 , IXGX120N60A3 .
History: FGAF30S65AQ | MUBW15-06A7
History: FGAF30S65AQ | MUBW15-06A7



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor