IXGX120N120B3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGX120N120B3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 88 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 670 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 470 nC
Тип корпуса: PLUS247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXGX120N120B3 Datasheet (PDF)
ixgx120n120b3 ixgk120n120b3.pdf

Advance Technical InformationVCES = 1200VIXGK120N120B3GenX3TM 1200V IGBTsIC90 = 120AIXGX120N120B3 VCE(sat) 3.0V High Speed Low Vsat PT IGBTsfor 3-20 kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 1200 VC(TAB)EEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VPLUS 247TM (IXG
ixgx120n120a3.pdf

Preliminary Technical InformationGenX3TM A3-Class VCES = 1200VIXGK120N120A3IC110 = 120AIGBTsIXGX120N120A3 VCE(sat) 2.20V Ultra-Low Vsat PT IGBTs forup to 3kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 1200 VC(TAB)EEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VPLUS 247T
ixgk120n60b3-ixgx120n60b3.pdf

VCES = 600VGenX3TM 600V IXGK120N60B3IC110 = 120AIXGX120N60B3IGBTsVCE(sat) 1.8Vtfi(typ) = 145nsMedium-Speed-Low-Vsat PTIGBTs for 5-40kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 600 VCEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VTabVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VPLUS247TM (IXG
ixgx120n60b3.pdf

VCES = 600VGenX3TM 600V IXGK120N60B3IC110 = 120AIXGX120N60B3IGBTsVCE(sat) 1.8Vtfi(typ) = 145nsMedium-Speed-Low-Vsat PTIGBTs for 5-40kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 600 VCEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VTabVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VPLUS247TM (IXG
Другие IGBT... IXGT64N60B3 , IXGT6N170 , IXGT6N170A , IXGT72N60A3 , IXGT72N60B3 , IXGV25N250S , IXGX100N170 , IXGX120N120A3 , GT30J122 , IXGX120N60A3 , IXGX120N60B3 , IXGX120N60C2 , IXGX12N90C , IXGX28N140B3H1 , IXGX320N60A3 , IXGX320N60B3 , IXGX32N170AH1 .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
a1175 transistor | 2sc1678 | irf4115 | 2sc828 replacement | 2sd669 datasheet | c102 transistor | bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet