IXGX120N60C2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGX120N60C2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 820 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 370 nC

Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXGX120N60C2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGX120N60C2 даташит

 ..1. Size:925K  ixys
 ixgk120n60c2 ixgx120n60c2.pdf pdf_icon

IXGX120N60C2

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGK 120N60C2 IC110 = 120 A Lightspeed 2TM Series IXGX 120N60C2 VCE(sat) = 2.5 V tfi(typ) = 45 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264(IXGK) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C (TAB) E IC25 TC = 25 C (limited by leads)

 ..2. Size:186K  ixys
 ixgx120n60c2.pdf pdf_icon

IXGX120N60C2

Preliminary Technical Information VCES = 600V HiPerFASTTM IGBT IXGK120N60C2 Lightspeed 2TM Series IC110 = 120A IXGX120N60C2 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 80ns TO-264(IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous 20 V C (TAB) E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25

 4.1. Size:197K  ixys
 ixgk120n60b3-ixgx120n60b3.pdf pdf_icon

IXGX120N60C2

VCES = 600V GenX3TM 600V IXGK120N60B3 IC110 = 120A IXGX120N60B3 IGBTs VCE(sat) 1.8V tfi(typ) = 145ns Medium-Speed-Low-Vsat PT IGBTs for 5-40kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V Tab VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V PLUS247TM (IXG

 4.2. Size:194K  ixys
 ixgx120n60b3.pdf pdf_icon

IXGX120N60C2

VCES = 600V GenX3TM 600V IXGK120N60B3 IC110 = 120A IXGX120N60B3 IGBTs VCE(sat) 1.8V tfi(typ) = 145ns Medium-Speed-Low-Vsat PT IGBTs for 5-40kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V Tab VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V PLUS247TM (IXG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGT72N60A3, IXGT72N60B3, IXGV25N250S, IXGX100N170, IXGX120N120A3, IXGX120N120B3, IXGX120N60A3, IXGX120N60B3, MBQ40T65FDSC, IXGX12N90C, IXGX28N140B3H1, IXGX320N60A3, IXGX320N60B3, IXGX32N170AH1, IXGX32N170H1, IXGX35N120B, IXGX35N120BD1