Справочник IGBT. IXGX320N60B3

 

IXGX320N60B3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGX320N60B3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1700 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 66 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 960 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 585 nC
   Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXGX320N60B3

 

 

IXGX320N60B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  ixys
 ixgx320n60b3.pdf

IXGX320N60B3 IXGX320N60B3

Preliminary Technical InformationGenX3TM 600V VCES = 600VIXGK320N60B3IC90 = 320AIGBTsIXGX320N60B3VCE(sat) 1.6VMedium-Speed Low-Vsat PTIGBTs for 5-40 kHz SwitchingTO-264 (IXGK)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsCEVCES TJ = 25C to 150C 600 VTabVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VPLUS247 (IXGX)VGEM T

 4.1. Size:199K  ixys
 ixgx320n60a3.pdf

IXGX320N60B3 IXGX320N60B3

GenX3TM 600V IGBTs VCES = 600VIXGK320N60A3IC25 = 320AIXGX320N60A3VCE(sat) 1.25VUltra-Low Vsat PT IGBTs forup to 5kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VCTabEEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VPLUS247TM (IXGX)IC25 TC = 25C (C

 8.1. Size:129K  ixys
 ixgx32n170ah1.pdf

IXGX320N60B3 IXGX320N60B3

IXGX 32N170AH1VCES = 1700 VHigh Voltage IGBTIC25 = 32 Awith DiodeVCE(sat) = 5.0 Vtfi(typ) = 50 nsPLUS247 (IXGX)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VVGES Continuous 20 V(TAB)GVGEM Transient 30 VCEIC25 TC = 25C32 AG = Gate, C = Collector,IC90 TC = 90C21 AE = Emitter, TAB =

 8.2. Size:520K  ixys
 ixgx32n170h1.pdf

IXGX320N60B3 IXGX320N60B3

Advance Technical InformationIXGX 32N170H1VCES = 1700 VHigh VoltageIC25 = 75 AIGBT with DiodeVCE(sat) = 3.3 Vtfi(typ) = 290 nsPLUS247 (IXGX)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VVGES Continuous 20 V(TAB)GVGEM Transient 30 VCEIC25 TC = 25C75 AG = Gate, C = Collector,IC90 TC

Другие IGBT... IXGX120N120A3 , IXGX120N120B3 , IXGX120N60A3 , IXGX120N60B3 , IXGX120N60C2 , IXGX12N90C , IXGX28N140B3H1 , IXGX320N60A3 , IKW40T120 , IXGX32N170AH1 , IXGX32N170H1 , IXGX35N120B , IXGX35N120BD1 , IXGX35N120C , IXGX35N120CD1 , IXGX400N30A , IXGX400N30A3 .

 

 
Back to Top