IXGX320N60B3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGX320N60B3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1700 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 500 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 66 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 960 pF

Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXGX320N60B3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGX320N60B3 даташит

 ..1. Size:193K  ixys
 ixgx320n60b3.pdf pdf_icon

IXGX320N60B3

Preliminary Technical Information GenX3TM 600V VCES = 600V IXGK320N60B3 IC90 = 320A IGBTs IXGX320N60B3 VCE(sat) 1.6V Medium-Speed Low-Vsat PT IGBTs for 5-40 kHz Switching TO-264 (IXGK) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings C E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V Tab VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V PLUS247 (IXGX) VGEM T

 4.1. Size:199K  ixys
 ixgx320n60a3.pdf pdf_icon

IXGX320N60B3

GenX3TM 600V IGBTs VCES = 600V IXGK320N60A3 IC25 = 320A IXGX320N60A3 VCE(sat) 1.25V Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 5kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V C Tab E E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V PLUS247TM (IXGX) IC25 TC = 25 C (C

 8.1. Size:129K  ixys
 ixgx32n170ah1.pdf pdf_icon

IXGX320N60B3

IXGX 32N170AH1 VCES = 1700 V High Voltage IGBT IC25 = 32 A with Diode VCE(sat) = 5.0 V tfi(typ) = 50 ns PLUS247 (IXGX) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V VGES Continuous 20 V (TAB) G VGEM Transient 30 V C E IC25 TC = 25 C32 A G = Gate, C = Collector, IC90 TC = 90 C21 A E = Emitter, TAB =

 8.2. Size:520K  ixys
 ixgx32n170h1.pdf pdf_icon

IXGX320N60B3

Advance Technical Information IXGX 32N170H1 VCES = 1700 V High Voltage IC25 = 75 A IGBT with Diode VCE(sat) = 3.3 V tfi(typ) = 290 ns PLUS247 (IXGX) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V VGES Continuous 20 V (TAB) G VGEM Transient 30 V C E IC25 TC = 25 C75 A G = Gate, C = Collector, IC90 TC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGX120N120A3, IXGX120N120B3, IXGX120N60A3, IXGX120N60B3, IXGX120N60C2, IXGX12N90C, IXGX28N140B3H1, IXGX320N60A3, GT60N321, IXGX32N170AH1, IXGX32N170H1, IXGX35N120B, IXGX35N120BD1, IXGX35N120C, IXGX35N120CD1, IXGX400N30A, IXGX400N30A3