IXSP20N60B2D1 - аналоги и описание IGBT

 

IXSP20N60B2D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXSP20N60B2D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 35 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 90 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXSP20N60B2D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSP20N60B2D1 даташит

 ..1. Size:576K  ixys
ixsp20n60b2 ixsp20n60b2d1.pdfpdf_icon

IXSP20N60B2D1

IXSP 20N60B2 VCES = 600 V High Speed IGBT IXSP 20N60B2D1 IC25 = 35 A VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability Preliminary Data Sheet D1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXSP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V C (TAB) G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C35 A G = Gate C = Collector

 ..2. Size:173K  ixys
ixsp20n60b2d1.pdfpdf_icon

IXSP20N60B2D1

IXSA 20N60B2D1 VCES = 600 V High Speed IGBT IXSP 20N60B2D1 IC25 = 35 A VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXSP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C35 A IC110 TC = 110 C20 A TO-22

 9.1. Size:68K  ixys
ixsp24n60b.pdfpdf_icon

IXSP20N60B2D1

IXSP 24N60B VCES = 600 V High Speed IGBT IC25 = 48 A VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability tfi typ = 170 ns Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXSP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V C (TAB) G C VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C48 A IC90 TC = 90 C24 A G = Gate

Другие IGBT... SIG20N60P1A , IXSH45N120B , IXSK35N120BD1 , IXSK80N60B , IXSN80N60BD1 , IXSP10N60B2D1 , IXSP15N120B , IXSP20N60B2 , IRG7IC28U , IXSP24N60B , IXSQ10N60B2D1 , SIW120N65G2P2D , IXSR35N120BD1 , IXSR40N60BD1 , IXSR40N60CD1 , IXST15N120BD1 , IXST24N60B .

History: STGB3NB60SD | STGF30M65DF2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.