IXST24N60BD1 - аналоги и описание IGBT

 

IXST24N60BD1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXST24N60BD1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF

Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXST24N60BD1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXST24N60BD1 даташит

 ..1. Size:100K  ixys
 ixst24n60bd1.pdf pdf_icon

IXST24N60BD1

IXSH 24N60B VCES = 600 V High Speed IGBT IXST 24N60B IC25 = 48 A IXSH 24N60BD1 VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability IXST 24N60BD1 tfi typ = 170 ns (D1) TO-247 AD (IXSH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V TO-268 (D3) ( IXST) IC25 TC

 ..2. Size:102K  ixys
 ixsh24n60b ixsh24n60bd1 ixst24n60b ixst24n60bd1.pdf pdf_icon

IXST24N60BD1

IXSH 24N60B VCES = 600 V High Speed IGBT IXST 24N60B IC25 = 48 A IXSH 24N60BD1 VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability IXST 24N60BD1 tfi typ = 170 ns (D1) TO-247 AD (IXSH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V TO-268 (D3) ( IXST) IC25 TC

 4.1. Size:100K  ixys
 ixst24n60b.pdf pdf_icon

IXST24N60BD1

IXSH 24N60B VCES = 600 V High Speed IGBT IXST 24N60B IC25 = 48 A IXSH 24N60BD1 VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability IXST 24N60BD1 tfi typ = 170 ns (D1) TO-247 AD (IXSH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V TO-268 (D3) ( IXST) IC25 TC

Другие IGBT... IXSP24N60B , IXSQ10N60B2D1 , SIW120N65G2P2D , IXSR35N120BD1 , IXSR40N60BD1 , IXSR40N60CD1 , IXST15N120BD1 , IXST24N60B , RJH30E2DPP , IXST30N60B2D1 , IXST35N120B , SIW100N65G2P2D , IXST45N120B , IXSX35N120BD1 , IXSX40N60BD1 , IXSX80N60B , IXXA50N60B3 .

History: IXSH35N120B | STGB3NB60SD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.