Справочник IGBT. IXSX35N120BD1

 

IXSX35N120BD1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSX35N120BD1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.6(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 315 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 120 nC
   Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXSX35N120BD1

 

 

IXSX35N120BD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:115K  ixys
ixsx35n120bd1.pdf

IXSX35N120BD1
IXSX35N120BD1

High VoltageIXSK 35N120BD1VCES = 1200 VIGBT with DiodeIXSX 35N120BD1IC25 = 70 AVCE(SAT) = 3.6 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary data sheetTO-264 AA(IXSK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 V CEVGES Continuous 20 VPLUS TO-247TMVGEM Transient 30 V(IXSX)IC25 TC = 25C70

 ..2. Size:118K  ixys
ixsk35n120bd1 ixsx35n120bd1.pdf

IXSX35N120BD1
IXSX35N120BD1

High VoltageIXSK 35N120BD1VCES = 1200 VIGBT with DiodeIXSX 35N120BD1IC25 = 70 AVCE(SAT) = 3.6 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary data sheetTO-264 AA(IXSK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 V CEVGES Continuous 20 VPLUS TO-247TMVGEM Transient 30 V(IXSX)IC25 TC = 25C70

 4.1. Size:86K  ixys
ixsx35n120au1.pdf

IXSX35N120BD1
IXSX35N120BD1

High Voltage IXSX 35N120AU1VCES = 1200 VIGBT with DiodeIC25 = 70 ACombi PackVCE(SAT) = 4 VShort Circuit SOA CapabilitySymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS TO-247TM(IXSX35N120AU1)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VC (TAB)GIC25 TC = 25C70 ACEIC90 TC = 90C35 AG = Ga

Другие IGBT... IXSR40N60CD1 , IXST15N120BD1 , IXST24N60B , IXST24N60BD1 , IXST30N60B2D1 , IXST35N120B , SIW100N65G2P2D , IXST45N120B , IHW40T60 , IXSX40N60BD1 , IXSX80N60B , IXXA50N60B3 , IXXH100N60B3 , IXXH100N60C3 , IXXH30N60B3D1 , IXXH30N60C3D1 , IXXH50N60B3 .

 

 
Back to Top