IXSX35N120BD1 - аналоги и описание IGBT

 

IXSX35N120BD1 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IXSX35N120BD1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.6(max) V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 315 pF
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXSX35N120BD1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IXSX35N120BD1

 ..1. Size:115K  ixys
 ixsx35n120bd1.pdf pdf_icon

IXSX35N120BD1

High Voltage IXSK 35N120BD1 VCES = 1200 V IGBT with Diode IXSX 35N120BD1 IC25 = 70 A VCE(SAT) = 3.6 V Short Circuit SOA Capability Preliminary data sheet TO-264 AA (IXSK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1200 V C E VGES Continuous 20 V PLUS TO-247TM VGEM Transient 30 V (IXSX) IC25 TC = 25 C70

 ..2. Size:118K  ixys
 ixsk35n120bd1 ixsx35n120bd1.pdf pdf_icon

IXSX35N120BD1

High Voltage IXSK 35N120BD1 VCES = 1200 V IGBT with Diode IXSX 35N120BD1 IC25 = 70 A VCE(SAT) = 3.6 V Short Circuit SOA Capability Preliminary data sheet TO-264 AA (IXSK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1200 V C E VGES Continuous 20 V PLUS TO-247TM VGEM Transient 30 V (IXSX) IC25 TC = 25 C70

 4.1. Size:86K  ixys
 ixsx35n120au1.pdf pdf_icon

IXSX35N120BD1

High Voltage IXSX 35N120AU1 VCES = 1200 V IGBT with Diode IC25 = 70 A Combi Pack VCE(SAT) = 4 V Short Circuit SOA Capability Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS TO-247TM (IXSX35N120AU1) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V C (TAB) G IC25 TC = 25 C70 A C E IC90 TC = 90 C35 A G = Ga

Другие IGBT... IXSR40N60CD1 , IXST15N120BD1 , IXST24N60B , IXST24N60BD1 , IXST30N60B2D1 , IXST35N120B , SIW100N65G2P2D , IXST45N120B , NGD8201N , IXSX40N60BD1 , IXSX80N60B , IXXA50N60B3 , IXXH100N60B3 , IXXH100N60C3 , IXXH30N60B3D1 , IXXH30N60C3D1 , IXXH50N60B3 .

History: IXXH50N60B3D1 | IXGH30N60B2

 

 
Back to Top

 


 
.