IXSX40N60BD1 - аналоги и описание IGBT

 

IXSX40N60BD1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXSX40N60BD1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF

Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXSX40N60BD1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSX40N60BD1 даташит

 ..1. Size:45K  ixys
 ixsx40n60bd1.pdf pdf_icon

IXSX40N60BD1

IXSK 40N60BD1 IGBT with Diode VCES = 600 V IXSX 40N60BD1 PLUS247TM package IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.2 V Short Circuit SOA Capability tfi(typ) = 120 ns Preliminary data PLUS 247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXSX) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V G C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V TO-264 AA IC25 T

 5.1. Size:45K  ixys
 ixsx40n60cd1.pdf pdf_icon

IXSX40N60BD1

IXSK 40N60CD1 IGBT with Diode VCES = 600 V IXSX 40N60CD1 PLUS247TM package IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability tfi(typ) = 70 ns Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXSX) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V C (TAB) G VGES Continuous 20 V C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C, li

Другие IGBT... IXST15N120BD1 , IXST24N60B , IXST24N60BD1 , IXST30N60B2D1 , IXST35N120B , SIW100N65G2P2D , IXST45N120B , IXSX35N120BD1 , FGPF4633 , IXSX80N60B , IXXA50N60B3 , IXXH100N60B3 , IXXH100N60C3 , IXXH30N60B3D1 , IXXH30N60C3D1 , IXXH50N60B3 , IXXH50N60B3D1 .

History: SPD15N65T1T0TL | IXSH45N120B | SGR5N60RUF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.