Справочник IGBT. IXSX40N60BD1

 

IXSX40N60BD1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSX40N60BD1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 190 nC
   Тип корпуса: PLUS247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXSX40N60BD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  ixys
 ixsx40n60bd1.pdf pdf_icon

IXSX40N60BD1

IXSK 40N60BD1IGBT with Diode VCES = 600 VIXSX 40N60BD1PLUS247TM packageIC25 = 75 AVCE(sat) = 2.2 VShort Circuit SOA Capabilitytfi(typ) = 120 nsPreliminary dataPLUS 247TMSymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXSX)VCES TJ = 25C to 150C 600 VC (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VGCVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VTO-264 AAIC25 T

 5.1. Size:45K  ixys
 ixsx40n60cd1.pdf pdf_icon

IXSX40N60BD1

IXSK 40N60CD1IGBT with Diode VCES = 600 VIXSX 40N60CD1PLUS247TM packageIC25 = 75 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA Capabilitytfi(typ) = 70 nsPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXSX)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VC (TAB)GVGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C, li

Другие IGBT... IXST15N120BD1 , IXST24N60B , IXST24N60BD1 , IXST30N60B2D1 , IXST35N120B , SIW100N65G2P2D , IXST45N120B , IXSX35N120BD1 , TGAN60N60F2DS , IXSX80N60B , IXXA50N60B3 , IXXH100N60B3 , IXXH100N60C3 , IXXH30N60B3D1 , IXXH30N60C3D1 , IXXH50N60B3 , IXXH50N60B3D1 .

 

 
Back to Top

 


 
.