Справочник IGBT. IXXH75N60C3D1

 

IXXH75N60C3D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXH75N60C3D1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 75 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 195 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXXH75N60C3D1

 

 

IXXH75N60C3D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  ixys
 ixxh75n60c3d1.pdf

IXXH75N60C3D1 IXXH75N60C3D1

Preliminary Technical InformationXPTTM 600V IGBT VCES = 600VIXXH75N60C3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 75A VCE(sat) 2.2V tfi(typ) = 75nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC TabEV

 3.1. Size:167K  ixys
 ixxh75n60c3.pdf

IXXH75N60C3D1 IXXH75N60C3D1

Advance Technical InformationXPTTM 600V IGBT VCES = 600VIXXH75N60C3GenX3TM IC110 = 75A VCE(sat) 2.2V tfi(typ) = 75nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient

 5.1. Size:167K  ixys
 ixxh75n60b3.pdf

IXXH75N60C3D1 IXXH75N60C3D1

Advance Technical InformationXPTTM 600V IGBT VCES = 600VIXXH75N60B3GenX3TM IC110 = 75A VCE(sat) 1.85V tfi(typ) = 125nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VGCVGES Continuous 20 V TabEVGEM Transient

 5.2. Size:186K  ixys
 ixxh75n60b3d1.pdf

IXXH75N60C3D1 IXXH75N60C3D1

Preliminary Technical InformationXPTTM 600V IGBT VCES = 600VIXXH75N60B3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 75A VCE(sat) 1.85V tfi(typ) = 125nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC TabE

Другие IGBT... IXXH30N60C3D1 , IXXH50N60B3 , IXXH50N60B3D1 , IXXH50N60C3 , IXXH50N60C3D1 , IXXH75N60B3 , IXXH75N60B3D1 , IXXH75N60C3 , IKW50N60T , IXXK100N60B3H1 , IXXK100N60C3H1 , IXXK200N60B3 , IXXK200N60C3 , IXXP50N60B3 , IXXX100N60C3H1 , IXXX200N60B3 , IXXX200N60C3 .

 

 
Back to Top