MIAA10WE600TMH Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MIAA10WE600TMH
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MIAA10WE600TMH Datasheet (PDF)
miaa10we600tmh.pdf

Advanced Technical Information MIAA10WE600TMHSingle Phase Brake Three PhaseConverter - Brake - InverterRectifier Chopper Inverter ModuleVRRM = 1600 V VCES = 600 V VCES = 600 VIDAVM25 = 35 A IC25 = 18 A IC25 = 18 ANPT IGBTIFSM = 270 A VCE(sat) = 2.1 V VCE(sat) = 2.1 VPart name (Marking on product)MIAA10WE600TMHP P1T1 T3 T5D8 D10 D7 D1 D3 D5NTC1G1 G3 G5L1B U V W
miaa10wb600tmh.pdf

Advanced Technical Information MIAA10WB600TMHSingle Phase Brake Three PhaseConverter - Brake - InverterRectifier Chopper Inverter ModuleVRRM = 1600 V VCES = 600 V VCES = 600 VIDAVM25 = 90 A IC25 = 18 A IC25 = 18 ANPT IGBTIFSM = 270 A VCE(sat) = 2.1 V VCE(sat) = 2.1 VPart name (Marking on product)MIAA10WB600TMHP P1T1 T3 T5D8 D10 D12 D7 D1 D3 D5NTC1G1 G3 G5L1L2 B
miaa10wd600tmh.pdf

Advanced Technical Information MIAA10WD600TMHSingle Phase Three PhaseConverter - Brake - InverterRectifier Inverter ModuleVRRM = 1600 V VCES = 600 VIDAVM25 = 35 A IC25 = 18 ANPT IGBTIFSM = 270 A VCE(sat) = 2.1 VPart name (Marking on product)MIAA10WD600TMHP P1T1 T3 T5D10D8 D1 D3 D5G1NTC1G3 G5L1WU VL2T2T4 T6D2D11D9 NTC2 D4 D6E 72873G2 G4 G6
miaa10wf600tmh.pdf

Advanced Technical Information MIAA10WF600TMHSingle Phase Three PhaseConverter - Brake - InverterRectifier Inverter ModuleVRRM = 1600 V VCES = 600 VIDAVM25 = 90 A IC25 = 18 ANPT IGBTIFSM = 270 A VCE(sat) = 2.1 VPart name (Marking on product)MIAA10WF600TMHP P1T1 T3 T5D8 D10 D12D1 D3 D5NTC1G1 G3 G5L1L2 U V WL3T2 T4 T6D2 D4 D6D9 D11 D13NTC2G2 G4 G6
Другие IGBT... IXXX200N60C3 , IXYB82N120C3H1 , IXYH50N120C3 , IXYH82N120C3 , IXYN82N120C3H1 , MDI400-12E4 , MIAA10WB600TMH , MIAA10WD600TMH , FGH75T65UPD , MIAA10WF600TMH , MIAA15WB600TMH , MIAA15WD600TMH , MIAA15WE600TMH , MIAA20WB600TMH , MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , MID400-12E4 .
History: AOK60B65M3 | RGT00TS65D | STGW40NC60WD | SKM600GB066D | F4-25R12NS4 | APTGT50TA170P | IXBT24N170
History: AOK60B65M3 | RGT00TS65D | STGW40NC60WD | SKM600GB066D | F4-25R12NS4 | APTGT50TA170P | IXBT24N170



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet