MIEB101W1200EH Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MIEB101W1200EH
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 630 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 183 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 750 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MIEB101W1200EH
MIEB101W1200EH Datasheet (PDF)
mieb101w1200eh.pdf

MIEB 101W1200EHSix-Pack VCES = 1200 VIC25 = 183 ASPT+ IGBTVCE(sat) = 1.8 VPart name (Marking on product)MIEB101W1200EH13, 21D1 D2 D3T1 T2 T31 5 92 6 101917E7287315D4 D5 D6T4 T5 T63 7 118 12414, 20Features: Application: Package: SPT+ IGBT technology AC motor drives "E3-Pack" standard outline low saturation voltage Solar inverter
mieb101w1200dpfeh.pdf

MIEB 101W1200DPFEHSix-Pack VCES = 1200 VIC25 = 170 ASPT+ IGBTVCE(sat) typ. = 1.9 VPreliminary dataPart name (Marking on product)MIEB101W1200DPFEH13, 211 5 92 6 10191715E 728733 7 118 12414, 20Features: Application: Package: SPT+ IGBT technology AC motor control designed for wave soldering low saturation voltage AC servo and robot drive
mieb101h1200eh.pdf

MIEB 101H1200EHIGBT Module VCES = 1200 VIC25 = 183 AH BridgeVCE(sat) = 1.8 VPart name (Marking on product)MIEB101H1200EH13, 21D1 D2T1T21 92 1019E7287315D3D4T3 T43 114 1214, 20Features: Application: Package: SPT+ IGBT technology AC motor drives "E3-Pack" standard outline low saturation voltage Solar inverter Insulated copper b
mieb100w1200dpfteh.pdf

MIEB 100W1200DPFTEHSix-Pack VCES = 1200 VIC25 = 170 ASPT+ IGBTVCE(sat) typ. = 1.9 VPreliminary dataPart name (Marking on product)MIEB100W1200DPFTEH16, 17, 1830, 31, 32D1 D3 D5T1 T3 T55 91196 10227 24 2128 25 22NTC29 26 23E 72873D2 D4 D620T2 T4 T637 114 81233, 34, 35 13, 14, 15Features: Application: Package: SPT+ IGBT technology
Другие IGBT... MIAA15WD600TMH , MIAA15WE600TMH , MIAA20WB600TMH , MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , MID400-12E4 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , FGW75N60HD , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 .
History: IGC18T120T6L | APT80GP60JDF3 | STGW45HF60WDI
History: IGC18T120T6L | APT80GP60JDF3 | STGW45HF60WDI



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet