MIO1200-33E11 - аналоги и даташиты транзистора IGBT

 

MIO1200-33E11 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование: MIO1200-33E11
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1650 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃
   Тип корпуса: E11
 

 Аналог (замена) для MIO1200-33E11

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MIO1200-33E11 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие IGBT... MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , GT30F132 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , MIO600-65E11 , MITA10WB1200TMH , MITA15WB1200TMH , MITA30WB600TMH , MITB10WB1200TMH .

History: MIXA20WB1200TMI | BSM50GB120DLC | BSM50GAL100D | STGD3HF60HDT4 | BSM100GB60DLC | SKM100GD063DL | STGP3HF60HD

 

 
Back to Top

 


 
.