1MB20D-060 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: 1MB20D-060 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 38 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF
Тип корпуса: TO3P
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для 1MB20D-060
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
1MB20D-060 даташит
1mb20d-060.pdf
Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawing n n Features n Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductance n Applications n High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supply n Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuit n n Absolute Maxim
1mb20-060.pdf
Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawing n n Features n Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductance n Applications n High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supply n Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuit n n Absolute Maxim
Другие IGBT... 1MB05-120, 1MB05D-120, 1MB08-120, 1MB08D-120, 1MB10-120, 1MB10D-120, 1MB15D-060, 1MB20-060, CRG60T60AN3H, 1MB30-060, 1MBC03-120, 1MBC05-060, 1MBC05D-060, 1MBC10-060, 1MBC10D-060, 1MBC15-060, 1MBG05D-060
History: GT80J101 | GT75G101
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815


