IGC50T120T6RL datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: IGC50T120T6RL 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 205 pF
Тип корпуса: CHIP
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для IGC50T120T6RL
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IGC50T120T6RL даташит
igc50t120t6rl.pdf
IGC50T120T6RL IGBT4 Low Power Chip FEATURES 1200V Trench + Field Stop technology This chip is used for C low switching losses low / medium power modules positive temperature coefficient easy paralleling Applications G low / medium power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC50T120T6RL 1200V 50A 7.25 x 6.84 mm2 sawn on foil MECHANICA
igc50t120t8rq.pdf
IGC50T120T8RQ High Speed IGBT in Trench and Fieldstop Technology Features Recommended for 1200V Trench + Field stop technology power modules C low switching losses positive temperature coefficient Applications easy paralleling high frequency drives G UPS E Welding Solar inverters Chip Type VCE ICn1) Die Size Package IGC50T120T8RQ 1200V 50A
igc50t120t8rl.pdf
IGC50T120T8RL IGBT4 Low Power Chip Features Recommended for 1200V Trench & Field stop technology low / medium power modules C low switching losses positive temperature coefficient Applications easy paralleling low / medium power drives Qualified according to JEDEC for target G applications E Chip Type VCE ICn1 ) Die Size Package IGC50T120T8RL 1200V 50
Другие IGBT... IGC54T65T8RM, MIXA20W1200MC, IGC54T65R3QE, MIXA20W1200TMH, IGC50T120T8RQ, MIXA20W1200TML, IGC50T120T8RL, MIXA20WB1200TED, IHW20N120R3, MIXA20WB1200TMH, IGC41T120T8Q, MIXA20WB1200TML, IGC39T65T8M, MIXA30W1200TED, IGC39T65QE, MIXA30W1200TMH, IGC36T120T8L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet



