MIXA80W1200TEH - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: MIXA80W1200TEH
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MIXA80W1200TEH
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MIXA80W1200TEH даташит
mixa80w1200teh.pdf
MIXA80W1200TEH Six-Pack VCES = 1200 V IC25 = 120 A XPT IGBT VCE(sat) = 1.8 V Part name (Marking on product) MIXA80W1200TEH 16, 17, 18 30, 31, 32 D1 D3 D5 T1 T3 T5 5 9 1 19 6 10 2 27 24 21 28 25 22 NTC E72873 29 26 23 Pin configuration see outlines. D2 D4 D6 20 T2 T4 T6 3 7 11 4 8 12 33, 34, 35 13, 14, 15 Features Application Package Easy paralleling due to
mixa80w1200ted.pdf
MIXA80W1200TED Six-Pack VCES = 1200 V IC25 = 120 A XPT IGBT VCE(sat) = 1.8 V Part name (Marking on product) MIXA80W1200TED 15, 16 25, 26 1 5 9 17 2 6 10 23, 24 E72873 21, 22 NTC 19, 20 Pin configuration see outlines. 18 3 7 11 4 8 12 13, 14 27, 28 Features Application Package Easy paralleling due to the positive AC motor drives "E2-Pack" standard outli
mixa80wb1200teh.pdf
MIXA80WB1200TEH Three Phase Brake Three Phase Converter - Brake - Inverter Rectifier Chopper Inverter Module VRRM = 1600 V VCES = 1200 V VCES = 1200 V IDAVM = 265 A IC25 = 60 A IC25 = 120 A XPT IGBT IFSM = 1100 A VCE(sat) = 1.8 V VCE(sat) = 1.8 V Part name (Marking on product) MIXA80WB1200TEH 21 22 D7 D11 D13 D15 D1 D5 D3 18 16 20 T1 T5 T3 NTC 8 7 15 17 19 1 2 3 4 6 5 E
mixa80r1200va.pdf
MIXA 80R1200VA Boost / Brake Module VCES = 1200 V IC25 = 120 A XPT IGBT VCE(sat) = 2.2 V Part name (Marking on product) MIXA80R1200VA 6/7 1/2 5 4 Preliminary data 2 1 9 10 10 9 7 6 4/5 Features Application Package Isolation voltage 3600 V Power Factor Correction DCB ceramic base plate Planar passivated chips Boost Converter Easy to mount with 2
Другие IGBT... IGC99T120T6RM , MIXA60WB1200TEH , IGC99T120T6RL , MIXA61H1200ED , IGC99T120T6RH , MIXA80R1200VA , MIXA80W1200TED , IGC89T170S8RM , GT30F133 , IGC82T170S8RM , MIXA80WB1200TEH , IGC76T65T8RM , MIXA81H1200EH , IGC70T120T8RQ , MKI100-12E8 , MKI100-12F8 , MKI50-06A7 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet | svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet




