MKI75-06A7T - аналоги и описание IGBT

 

MKI75-06A7T - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MKI75-06A7T

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MKI75-06A7T

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MKI75-06A7T даташит

 ..1. Size:110K  ixys
 mki75-06a7t.pdf pdf_icon

MKI75-06A7T

MKI 75-06 A7 MKI 75-06 A7T IC25 = 90 A IGBT Modules VCES = 600 V H-Bridge VCE(sat) typ.= 2.1 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13 Type NTC - Option T1 T5 D1 D5 1 9 MKI 75-06 A7 without NTC T 2 MKI 75-06 A7T with NTC 10 16 14 T6 T2 D2 T D6 B3 3 11 12 4 17 Features IGBTs NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltag

 4.1. Size:110K  ixys
 mki75-06a7.pdf pdf_icon

MKI75-06A7T

MKI 75-06 A7 MKI 75-06 A7T IC25 = 90 A IGBT Modules VCES = 600 V H-Bridge VCE(sat) typ.= 2.1 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA 13 Type NTC - Option T1 T5 D1 D5 1 9 MKI 75-06 A7 without NTC T 2 MKI 75-06 A7T with NTC 10 16 14 T6 T2 D2 T D6 B3 3 11 12 4 17 Features IGBTs NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltag

Другие IGBT... IGC70T120T8RQ , MKI100-12E8 , MKI100-12F8 , MKI50-06A7 , MKI50-06A7T , MKI50-12E7 , MKI50-12F7 , MKI75-06A7 , RJH60F5DPQ-A0 , MKI75-12E8 , MKI80-06T6K , MMIX1G320N60B3 , MMIX1G75N250 , MMIX4G20N250 , MUBW100-06A8 , MUBW10-06A6K , MUBW10-06A7 .

History: MMIX1G320N60B3 | MKI75-12E8

 

 

 


 
↑ Back to Top
.