MKI75-06A7T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MKI75-06A7T
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 190 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MKI75-06A7T
MKI75-06A7T Datasheet (PDF)
mki75-06a7t.pdf
MKI 75-06 A7MKI 75-06 A7TIC25 = 90 AIGBT ModulesVCES = 600 VH-BridgeVCE(sat) typ.= 2.1 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA13Type: NTC - Option:T1 T5D1 D51 9MKI 75-06 A7 without NTCT2MKI 75-06 A7T with NTC 101614T6T2 D2T D6B33 1112417Features IGBTs NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltag
mki75-06a7.pdf
MKI 75-06 A7MKI 75-06 A7TIC25 = 90 AIGBT ModulesVCES = 600 VH-BridgeVCE(sat) typ.= 2.1 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA13Type: NTC - Option:T1 T5D1 D51 9MKI 75-06 A7 without NTCT2MKI 75-06 A7T with NTC 101614T6T2 D2T D6B33 1112417Features IGBTs NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltag
Другие IGBT... IGC70T120T8RQ , MKI100-12E8 , MKI100-12F8 , MKI50-06A7 , MKI50-06A7T , MKI50-12E7 , MKI50-12F7 , MKI75-06A7 , GT30J122 , MKI75-12E8 , MKI80-06T6K , MMIX1G320N60B3 , MMIX1G75N250 , MMIX4G20N250 , MUBW100-06A8 , MUBW10-06A6K , MUBW10-06A7 .
History: F3L100R07W2E3-B11 | MG100Q2YS40
History: F3L100R07W2E3-B11 | MG100Q2YS40
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509 | 2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058