MWI225-12E9 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MWI225-12E9
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 355 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MWI225-12E9
MWI225-12E9 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие IGBT... MWI100-12A8 , MWI100-12E8 , MWI100-12T8T , MWI150-06A8 , MWI150-12T8T , MWI15-12A6K , MWI15-12A7 , MWI200-06A8 , IKW75N60T , MWI225-17E9 , MWI25-12A7 , MWI25-12A7T , MWI25-12E7 , MWI300-12E9 , MWI300-17E9 , MWI30-06A7 , MWI30-06A7T .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2