MWI225-12E9 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: MWI225-12E9 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 355 A @25℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Тип корпуса: MODULE
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для MWI225-12E9
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MWI225-12E9 даташит
No data!
Другие IGBT... MWI100-12A8, MWI100-12E8, MWI100-12T8T, MWI150-06A8, MWI150-12T8T, MWI15-12A6K, MWI15-12A7, MWI200-06A8, SGT40N60NPFDPN, MWI225-17E9, MWI25-12A7, MWI25-12A7T, MWI25-12E7, MWI300-12E9, MWI300-17E9, MWI30-06A7, MWI30-06A7T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfz44n | irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640
