Справочник IGBT. MWI225-12E9

 

MWI225-12E9 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MWI225-12E9
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 355 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MWI225-12E9

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MWI225-12E9 Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие IGBT... MWI100-12A8 , MWI100-12E8 , MWI100-12T8T , MWI150-06A8 , MWI150-12T8T , MWI15-12A6K , MWI15-12A7 , MWI200-06A8 , GT30F126 , MWI225-17E9 , MWI25-12A7 , MWI25-12A7T , MWI25-12E7 , MWI300-12E9 , MWI300-17E9 , MWI30-06A7 , MWI30-06A7T .

History: APT50GT60BRG

 

 
Back to Top

 


 
.