MWI225-17E9 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: MWI225-17E9
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 335 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам