MWI25-12E7 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: MWI25-12E7 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 52 A @25℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
Тип корпуса: MODULE
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для MWI25-12E7
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MWI25-12E7 даташит
mwi25-12a7t.pdf
MWI 25-12A7(T) IC25 = 50 A IGBT Module VCES = 1200 V Sixpack VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Part name (Marking on product) MWI25-12A7 MWI25-12A7T 13 5 9 1 T version T 6 10 2 16 15 14 E72873 T Pin configuration see outlines. 7 11 3 8 12 4 17 Features Application Package NPT IGBT technology AC motor control UL registered
mwi25-12a7.pdf
MWI 25-12A7(T) IC25 = 50 A IGBT Module VCES = 1200 V Sixpack VCE(sat) typ. = 2.2 V Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Part name (Marking on product) MWI25-12A7 MWI25-12A7T 13 5 9 1 T version T 6 10 2 16 15 14 E72873 T Pin configuration see outlines. 7 11 3 8 12 4 17 Features Application Package NPT IGBT technology AC motor control UL registered
Другие IGBT... MWI150-12T8T, MWI15-12A6K, MWI15-12A7, MWI200-06A8, MWI225-12E9, MWI225-17E9, MWI25-12A7, MWI25-12A7T, RJP30H1DPD, MWI300-12E9, MWI300-17E9, MWI30-06A7, MWI30-06A7T, MWI30-12E6K, MWI35-12A7, MWI35-12T7T, MWI450-12E9
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n


