Справочник IGBT. MWI35-12A7

 

MWI35-12A7 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MWI35-12A7
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 62 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MWI35-12A7

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MWI35-12A7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  ixys
 mwi35-12a7.pdf pdf_icon

MWI35-12A7

MWI 35-12 A7IC25 = 62 AIGBT ModulesVCES = 1200 VSixpackVCE(sat) typ. = 2.2 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA131 5 92 6 101615143 7 11 E728734 8 12See outline drawing for pin arrangement17Features IGBTsNPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltagelow switching lossesVCES TVJ = 25C to 150C 1200

 6.1. Size:202K  ixys
 mwi35-12t7t.pdf pdf_icon

MWI35-12A7

MWI 35-12T7TIC25 = 60 ASix-PackVCES = 1200 VTrench IGBTVCE(sat) typ. = 1.7 VPart name (Marking on product)MWI 35-12T7T15, 1625, 2615 91726 1023, 2421, 22NTC19, 20E72873Pin configuration see outlines.1837 1148 1213, 1427, 28Features: Application: Package: Trench IGBT technology AC motor drives "E2-Pack" standard outline lo

Другие IGBT... MWI25-12A7 , MWI25-12A7T , MWI25-12E7 , MWI300-12E9 , MWI300-17E9 , MWI30-06A7 , MWI30-06A7T , MWI30-12E6K , RJH3047 , MWI35-12T7T , MWI450-12E9 , MWI451-17E9 , MWI45-12T6K , MWI50-06A7 , MWI50-06A7T , MWI50-12A7 , MWI50-12A7T .

History: FD1200R17KE3-K | SGTP50V60SD2PF

 

 
Back to Top

 


 
.