MWI35-12A7 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MWI35-12A7
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 62 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 140 nC
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MWI35-12A7 Datasheet (PDF)
mwi35-12a7.pdf

MWI 35-12 A7IC25 = 62 AIGBT ModulesVCES = 1200 VSixpackVCE(sat) typ. = 2.2 VShort Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA131 5 92 6 101615143 7 11 E728734 8 12See outline drawing for pin arrangement17Features IGBTsNPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings low saturation voltagelow switching lossesVCES TVJ = 25C to 150C 1200
mwi35-12t7t.pdf

MWI 35-12T7TIC25 = 60 ASix-PackVCES = 1200 VTrench IGBTVCE(sat) typ. = 1.7 VPart name (Marking on product)MWI 35-12T7T15, 1625, 2615 91726 1023, 2421, 22NTC19, 20E72873Pin configuration see outlines.1837 1148 1213, 1427, 28Features: Application: Package: Trench IGBT technology AC motor drives "E2-Pack" standard outline lo
Другие IGBT... MWI25-12A7 , MWI25-12A7T , MWI25-12E7 , MWI300-12E9 , MWI300-17E9 , MWI30-06A7 , MWI30-06A7T , MWI30-12E6K , IRGP4086 , MWI35-12T7T , MWI450-12E9 , MWI451-17E9 , MWI45-12T6K , MWI50-06A7 , MWI50-06A7T , MWI50-12A7 , MWI50-12A7T .
History: IXGH60N60B2 | 1MBI200SA-120 | BG150B12UY3-I
History: IXGH60N60B2 | 1MBI200SA-120 | BG150B12UY3-I



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460