Справочник IGBT. GA75TS120U

 

GA75TS120U - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GA75TS120U
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 119 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 570 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 570 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для GA75TS120U

 

 

GA75TS120U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  international rectifier
 ga75ts120u.pdf

GA75TS120U GA75TS120U

PD - 50062AGA75TS120U Ultra-FastTM Speed IGBT"HALF-BRIDGE" IGBT INT-A-PAKFeaturesVCES = 1200V Generation 4 IGBT technology UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200VCE(on) typ. = 2.1V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses@VGE = 15V, IC = 75A HEXFRED antiparallel diodes with ultra- soft

 6.1. Size:241K  vishay
 ga75ts12.pdf

GA75TS120U GA75TS120U

GA75TS120UPbFVishay High Power Products"Half-Bridge" IGBT INT-A-PAK(Ultrafast Speed IGBT), 75 AFEATURES Generation 4 IGBT technology Ultrafast: Optimized for high speed 8 kHz to40 kHz in hard switching, > 200 kHz in resonantmode Very low conduction and switching losses HEXFRED antiparallel diodes with ultrasoft recovery Industry standard package UL ap

 8.1. Size:223K  international rectifier
 ga75ts60u.pdf

GA75TS120U GA75TS120U

PD -50050CGA75TS60U Ultra-FastTM Speed IGBT"HALF-BRIDGE" IGBT INT-A-PAKFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesVCES = 600V Generation 4 IGBT technology UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200VCE(on) typ. = 1.7V kHz in resonant mode Very low conduction and switching losses@VGE = 15V, IC = 75A HEXFRED an

Другие IGBT... GA250TD120U , GA250TS60U , GA300TD60U , GA400TD25S , GA400TD60U , GA500TD60U , GA50TS120U , GA600GD25S , IRG4PC40W , GA75TS60U , GT10G101 , GT10J301 , GT10J311 , GT10Q301 , GT10Q311 , GT15G101 , GT15J101 .

 

 
Back to Top