VKI50-12P1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: VKI50-12P1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 49 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1 V @25℃
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам