VWI15-12P1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: VWI15-12P1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для VWI15-12P1
VWI15-12P1 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие IGBT... MWI75-12E8 , MWI75-12T7T , MWI75-12T8T , MWI80-12T6K , VII130-06P1 , VKI50-06P1 , VKI50-12P1 , VKI75-06P1 , STGB10NB37LZ , VWI20-06P1 , VWI35-06P1 , STGB10NB40LZ , STGB10NB60S , STGB10NC60HD , STGB10NC60K , STGB10NC60KD , STGB14NC60KD .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor