VWI35-06P1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: VWI35-06P1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 31 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам