STGD8NC60K - аналоги и описание IGBT

 

STGD8NC60K - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: STGD8NC60K
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 46 pF
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STGD8NC60K

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры STGD8NC60K

 ..1. Size:454K  st
stgd8nc60k.pdfpdf_icon

STGD8NC60K

 ..2. Size:452K  st
stgb8nc60k stgd8nc60k stgp8nc60k.pdfpdf_icon

STGD8NC60K

 0.1. Size:536K  st
stgb8nc60kd stgd8nc60kd stgf8nc60kd stgp8nc60kd.pdfpdf_icon

STGD8NC60K

STGB8NC60KD - STGD8NC60KD STGF8NC60KD - STGP8NC60KD 600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT Features 2 Lower on voltage drop (VCE(sat)) 3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 1 susceptibility) 3 2 DPAK 1 Very soft ultra fast recovery antiparallel diode TO-220 Short circuit withstand time 10 s 2 Applications High frequency motor controls 3 3 2

 0.2. Size:555K  st
stgd8nc60kd.pdfpdf_icon

STGD8NC60K

STGB8NC60KD - STGD8NC60KD STGF8NC60KD - STGP8NC60KD 600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT Features 2 Lower on voltage drop (VCE(sat)) 3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 1 susceptibility) 3 2 DPAK 1 Very soft ultra fast recovery antiparallel diode TO-220 Short circuit withstand time 10 s 2 Applications High frequency motor controls 3 3 2

Другие IGBT... STGD14NC60K , STGD18N40LZ , STGD3HF60HD , STGD3NB60SD , STGD5NB120SZ , STGD6NC60HD , STGD7NB60S , STGD7NC60H , CRG40T65AK5HD , STGD8NC60KD , STGDL6NC60D , STGDL6NC60DI , STGE200NB60S , STGE50NC60VD , STGE50NC60WD , STGF10NB60SD , STGF10NC60HD .

 

 
Back to Top

 


 
.