STGD8NC60K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: STGD8NC60K  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 46 pF

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для STGD8NC60K

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGD8NC60K даташит

 ..1. Size:454K  st
 stgd8nc60k.pdf pdf_icon

STGD8NC60K

 ..2. Size:452K  st
 stgb8nc60k stgd8nc60k stgp8nc60k.pdf pdf_icon

STGD8NC60K

 0.1. Size:536K  st
 stgb8nc60kd stgd8nc60kd stgf8nc60kd stgp8nc60kd.pdf pdf_icon

STGD8NC60K

STGB8NC60KD - STGD8NC60KD STGF8NC60KD - STGP8NC60KD 600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT Features 2 Lower on voltage drop (VCE(sat)) 3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 1 susceptibility) 3 2 DPAK 1 Very soft ultra fast recovery antiparallel diode TO-220 Short circuit withstand time 10 s 2 Applications High frequency motor controls 3 3 2

 0.2. Size:555K  st
 stgd8nc60kd.pdf pdf_icon

STGD8NC60K

STGB8NC60KD - STGD8NC60KD STGF8NC60KD - STGP8NC60KD 600 V - 8 A - short circuit rugged IGBT Features 2 Lower on voltage drop (VCE(sat)) 3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 1 susceptibility) 3 2 DPAK 1 Very soft ultra fast recovery antiparallel diode TO-220 Short circuit withstand time 10 s 2 Applications High frequency motor controls 3 3 2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STGD14NC60K, STGD18N40LZ, STGD3HF60HD, STGD3NB60SD, STGD5NB120SZ, STGD6NC60HD, STGD7NB60S, STGD7NC60H, IKW40N120H3, STGD8NC60KD, STGDL6NC60D, STGDL6NC60DI, STGE200NB60S, STGE50NC60VD, STGE50NC60WD, STGF10NB60SD, STGF10NC60HD