Справочник IGBT. STGD8NC60KD

 

STGD8NC60KD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGD8NC60KD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GD8NC60KD
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 46 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 19 nC
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STGD8NC60KD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGD8NC60KD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:536K  st
 stgb8nc60kd stgd8nc60kd stgf8nc60kd stgp8nc60kd.pdf pdf_icon

STGD8NC60KD

STGB8NC60KD - STGD8NC60KDSTGF8NC60KD - STGP8NC60KD600 V - 8 A - short circuit rugged IGBTFeatures2 Lower on voltage drop (VCE(sat))3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 1susceptibility)32 DPAK1 Very soft ultra fast recovery antiparallel diode TO-220 Short circuit withstand time 10 s2Applications High frequency motor controls 3 32

 ..2. Size:555K  st
 stgd8nc60kd.pdf pdf_icon

STGD8NC60KD

STGB8NC60KD - STGD8NC60KDSTGF8NC60KD - STGP8NC60KD600 V - 8 A - short circuit rugged IGBTFeatures2 Lower on voltage drop (VCE(sat))3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 1susceptibility)32 DPAK1 Very soft ultra fast recovery antiparallel diode TO-220 Short circuit withstand time 10 s2Applications High frequency motor controls 3 32

 4.1. Size:454K  st
 stgd8nc60k.pdf pdf_icon

STGD8NC60KD

STGB8NC60K - STGD8NC60KSTGP8NC60KN-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220Short circuit rated PowerMESH IGBTFeaturesICVCE(sat)TypType VCES@25C @100C3STGB8NC60K 600V 2.2V 8A13STGD8NC60K 600V 2.2V 8A 21 DPAKTO-220STGP8NC60K 600V 2.2V 8A Lower on voltage drop (Vcesat)3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 1susceptibility)DPAK

 4.2. Size:452K  st
 stgb8nc60k stgd8nc60k stgp8nc60k.pdf pdf_icon

STGD8NC60KD

STGB8NC60K - STGD8NC60KSTGP8NC60KN-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220Short circuit rated PowerMESH IGBTFeaturesICVCE(sat)TypType VCES@25C @100C3STGB8NC60K 600V 2.2V 8A13STGD8NC60K 600V 2.2V 8A 21 DPAKTO-220STGP8NC60K 600V 2.2V 8A Lower on voltage drop (Vcesat)3 Lower CRES / CIES ratio (no cross-conduction 1susceptibility)DPAK

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STGD18N40LZ , STGD3HF60HD , STGD3NB60SD , STGD5NB120SZ , STGD6NC60HD , STGD7NB60S , STGD7NC60H , STGD8NC60K , BT15T120ANF , STGDL6NC60D , STGDL6NC60DI , STGE200NB60S , STGE50NC60VD , STGE50NC60WD , STGF10NB60SD , STGF10NC60HD , STGF10NC60KD .

History: DIM1200ASM45-TS001

 

 
Back to Top

 


 
.