STGF19NC60KD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGF19NC60KD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: GF19NC60KD
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 8 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 127 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 55 nC
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для STGF19NC60KD
STGF19NC60KD Datasheet (PDF)
stgb19nc60kdt4 stgf19nc60kd stgp19nc60kd.pdf

STGB19NC60KDT4, STGF19NC60KD, STGP19NC60KD 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Datasheet - production data Features TAB Low on voltage drop (V ) CE(sat) Low C / C ratio (no cross-conduction RES IES31susceptibility) D2 PAK3 Short-circuit withstand time 10 s 21 IGBT co-packaged with ultrafast free-TO-220FPTABwheeling diode Applications
stgb19nc60kd stgf19nc60kd stgp19nc60kd.pdf

STGB19NC60KDSTGF19NC60KD - STGP19NC60KD20 A - 600 V - short circuit rugged IGBTFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility)33 Short circuit withstand time 10 s 121 IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling D2PAKTO-220diodeApplications321 High frequency invertersTO-220FP Mot
stgb19nc60kd stgf19nc60kd stgp19nc60kd.pdf

STGB19NC60KDSTGF19NC60KD - STGP19NC60KD20 A - 600 V - short circuit rugged IGBTFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat)) Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility)33 Short circuit withstand time 10 s 121 IGBT co-packaged with ultra fast free-wheeling D2PAKTO-220diodeApplications321 High frequency invertersTO-220FP Mot
stgb19nc60hdt4 stgf19nc60hd stgp19nc60hd stgw19nc60hd.pdf

STGB19NC60HDT4, STGF19NC60HD,STGP19NC60HD, STGW19NC60HD19 A, 600 V, very fast IGBT with ultrafast diodeDatasheet - production dataFeaturesTAB Low on-voltage drop (VCE(sat)) Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode331 21ApplicationsDPAKTO-220FPTAB High frequency motor drives SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies32 3
Другие IGBT... STGE50NC60VD , STGE50NC60WD , STGF10NB60SD , STGF10NC60HD , STGF10NC60KD , STGF10NC60SD , STGF14NC60KD , STGF19NC60HD , IXGH60N60 , STGF19NC60SD , STGF19NC60WD , STGF20NB60S , STGF35HF60W , STGF3NC120HD , STGF6NC60HD , STGF7NB60SL , STGF7NC60HD .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260