STGF3NC120HD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGF3NC120HD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: GF3NC120HD
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 3.5 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 24 nC
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для STGF3NC120HD
STGF3NC120HD Datasheet (PDF)
stgb3nc120hd stgf3nc120hd stgp3nc120hd.pdf

STGB3NC120HDSTGF3NC120HD, STGP3NC120HD7 A, 1200 V very fast IGBT with ultrafast diodeFeaturesTAB High voltage capability High speed Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode332211Applications TO-220FPTO-220 Home applianceTAB Lighting31DescriptionDPAKThis high voltage and very fast IGBT shows an excellent trade-off between l
stgf3nc120hd.pdf

STGF3NC120HDN-CHANNEL 3A - 1200V TO-220FPFAST PowerMESH IGBT with Integral Damper DiodeTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25C @100CSTGF3NC120HD 1200 V
stgf3nc120hd stgp3nc120hd.pdf

STGF3NC120HDSTGP3NC120HD7 A, 1200 V very fast IGBTFeatures Low on-voltage drop (VCE(sat))TAB High current capability Off losses include tail current High speed332211ApplicationTO-220FPTO-220 Home appliance LightingDescriptionThis IGBT utilizes the advanced PowerMESH process resulting in an excellent trade-off Figure 1. Internal
stgf30nc60s stgp30nc60s stgwf30nc60s.pdf

STGF30NC60SSTGP30NC60S, STGWF30NC60S30 A, 600 V, fast IGBTFeaturesTAB Optimized performance for medium operating frequencies up to 5 kHz in hard switching Low on-voltage drop (VCE(sat))332 High current capability 211TO-220 TO-220FPApplication1113Motor drive21TO-3PFDescriptionThis device utilizes the advanced PowerMESHTM process result
Другие IGBT... STGF10NC60SD , STGF14NC60KD , STGF19NC60HD , STGF19NC60KD , STGF19NC60SD , STGF19NC60WD , STGF20NB60S , STGF35HF60W , RJP30H1DPD , STGF6NC60HD , STGF7NB60SL , STGF7NC60HD , STGF8NC60KD , STGFL6NC60D , STGFL6NC60DI , STGP10NB37LZ , STGP10NB60S .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350