STGW35HF60WD - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

STGW35HF60WD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: STGW35HF60WD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GW35HF60WDA_GW35HF60WDB_GW35HF60WDC
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.75 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 235 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 140 nC
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для STGW35HF60WD

STGW35HF60WD Datasheet (PDF)

..1. Size:447K st
stgw35hf60wd.pdf

STGW35HF60WD35 A, 600 V ultra fast IGBTFeatures Improved Eoff at elevated temperature Minimal tail current Low conduction losses VCE(sat) classified for easy parallel connection Ultra fast soft recovery antiparallel diode 321ApplicationsTO-247 Welding High frequency converters Power factor correctionDescriptionFigure 1. Internal schemati

0.1. Size:1050K st
stgw35hf60wdi.pdf

STGW35HF60WDI35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diodeFeatures Improved Eoff at elevated temperature Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) Low VF soft recovery antiparallel diode Applications321 WeldingTO-247 Induction heating Resonant convertersDescriptionThis ultrafast IGBT is developed using a new Figure 1. Interna

3.1. Size:633K st
stgw35hf60w.pdf

STGF35HF60W, STGW35HF60W,STGFW35HF60W35 A, 600 V Ultrafast IGBTDatasheet - production dataFeatures Improved Eoff at elevated temperature Minimal tail current Low conduction losses332211ApplicationsTO-247TO-220FP Welding High frequency converters111 Power factor correction321DescriptionTO-3PFThis Ultrafast IGBT is develope

8.1. Size:502K st
stgw35nc120hd.pdf

STGW35NC120HD32 A, 1200 V very fast IGBTDatasheet - production dataFeatures Low on-losses Low on-voltage drop (VCE(sat)) High current capability IGBT co-packaged with ultrafast free-wheeling diode3 Low gate charge21 Ideal for soft switching applicationTO-247 long leadsApplication Induction heatingFigure 1. Internal schematic diagram

8.2. Size:244K st
stgw35nb60sd.pdf