STGW50NC60W - аналоги и описание IGBT

 

STGW50NC60W - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGW50NC60W

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 285 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 410 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STGW50NC60W

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGW50NC60W даташит

 ..1. Size:286K  st
stgw50nc60w.pdfpdf_icon

STGW50NC60W

STGW50NC60W N-channel 600V - 55A - TO-247 Ultra fast switching PowerMESH IGBT Features VCE(sat) IC VCES Type (max)@25 C @100 C STGW50NC60W 600V

 7.1. Size:302K  st
stgw50nb60h.pdfpdf_icon

STGW50NC60W

STGW50NB60H N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) (Max) IC STGW50NB60H 600 V

 7.2. Size:299K  st
stgw50nb60m.pdfpdf_icon

STGW50NC60W

STGW50NB60M N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat)(25 C) IC STGW50NB60M 600 V

 8.1. Size:1756K  st
stgw50h60df.pdfpdf_icon

STGW50NC60W

Другие IGBT... STGW40NC60WD , STGW45HF60WD , STGW45HF60WDI , STGW45NC60VD , STGW45NC60WD , STGW50H60DF , STGW50HF60S , STGW50HF60SD , TGD30N40P , STGW60H65F , STGWA19NC60HD , STGWA60NC60WDR , STGWF30NC60S , STGWT38IH130D , STGY40NC60VD , STGY50NC60WD , IKW30N100T .

History: TA49048

 

 

 

 

↑ Back to Top
.