STGW50NC60W - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGW50NC60W
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 285 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 410 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STGW50NC60W
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGW50NC60W даташит
stgw50nc60w.pdf
STGW50NC60W N-channel 600V - 55A - TO-247 Ultra fast switching PowerMESH IGBT Features VCE(sat) IC VCES Type (max)@25 C @100 C STGW50NC60W 600V
stgw50nb60h.pdf
STGW50NB60H N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) (Max) IC STGW50NB60H 600 V
stgw50nb60m.pdf
STGW50NB60M N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat)(25 C) IC STGW50NB60M 600 V
Другие IGBT... STGW40NC60WD , STGW45HF60WD , STGW45HF60WDI , STGW45NC60VD , STGW45NC60WD , STGW50H60DF , STGW50HF60S , STGW50HF60SD , TGD30N40P , STGW60H65F , STGWA19NC60HD , STGWA60NC60WDR , STGWF30NC60S , STGWT38IH130D , STGY40NC60VD , STGY50NC60WD , IKW30N100T .
History: TA49048
History: TA49048
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor







