STGY50NC60WD datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: STGY50NC60WD 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 110 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 410 pF
Тип корпуса: MAX247
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для STGY50NC60WD
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGY50NC60WD даташит
stgy50nc60wd.pdf
STGY50NC60WD 50 A, 600 V, ultra fast IGBT Features Very high frequency operation Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) Very soft ultra fast recovery antiparallel diode 3 Applications 2 1 Very high frequency inverters, UPS Max247 HF, SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies Motor drivers Welding Figure 1. Interna
stgy50nb60hd.pdf
STGY50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGY50NB60HD 600 V
Другие IGBT... STGW50HF60SD, STGW50NC60W, STGW60H65F, STGWA19NC60HD, STGWA60NC60WDR, STGWF30NC60S, STGWT38IH130D, STGY40NC60VD, IRGB20B60PD1, IKW30N100T, IKW08T120, SKW30N60HS, IKW15T120, IKW25T120, IKW40T120, IKA06N60T, IKB06N60T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198


