IKB06N60T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IKB06N60T
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: K06T60
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 28 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 42 nC
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IKB06N60T
IKB06N60T Datasheet (PDF)
ikb06n60t.pdf

IKB06N60TTRENCHSTOP Series pLow Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diodeFeatures Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) C Maximum Junction Temperature 175C Short circuit withstand time 5s Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps andvacuum cleaners GE
ikb06n60trev2 3g.pdf

IKB06N60T TrenchStop series p Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon 3 diode C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5s Designed for frequency inverters for washing machines, fans, GEpumps and vacuum cleaners TrenchSto
Другие IGBT... STGY50NC60WD , IKW30N100T , IKW08T120 , SKW30N60HS , IKW15T120 , IKW25T120 , IKW40T120 , IKA06N60T , IRGP4063 , IKA10N60T , IKB10N60T , IKA15N60T , IKB15N60T , IKB20N60T , IKW20N60T , IKW30N60T , SL50T120FZ .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor