IKB06N60T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKB06N60T  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 28 pF

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKB06N60T

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKB06N60T даташит

 ..1. Size:652K  infineon
 ikb06n60t.pdf pdf_icon

IKB06N60T

 0.1. Size:1188K  infineon
 ikb06n60trev2 3g.pdf pdf_icon

IKB06N60T

IKB06N60T TrenchStop series p Low Loss DuoPack IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon 3 diode C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s Designed for frequency inverters for washing machines, fans, G E pumps and vacuum cleaners TrenchSto

Другие IGBT... STGY50NC60WD, IKW30N100T, IKW08T120, SKW30N60HS, IKW15T120, IKW25T120, IKW40T120, IKA06N60T, IRG4PF50W, IKA10N60T, IKB10N60T, IKA15N60T, IKB15N60T, IKB20N60T, IKW20N60T, IKW30N60T, SL50T120FZ