Справочник IGBT. SKB02N60

 

SKB02N60 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKB02N60
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K06N60
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 18 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 14 nC
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SKB02N60

 

 

SKB02N60 Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IKW20N60T , IKW30N60T , SL50T120FZ , IKW75N60T , SKB02N120 , SKW07N120 , SKW15N120 , SKW25N120 , SGT40N60NPFDPN , SKB04N60 , SKA06N60 , SKB06N60 , SKW10N60A , SKB15N60 , SKW15N60 , SKW20N60 , SKW30N60 .