Справочник IGBT. IHW15T120

 

IHW15T120 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHW15T120
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H15T120
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 82 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 85 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IHW15T120

 

 

IHW15T120 Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IHW30N90T , IHW40N60T , IHW40T60 , IHW40N60R , IHW25N120R2 , IHD10N60RA , IHW30N120R2 , IHD06N60RA , RJH3047 , IHW20T120 , IKW15N120T2 , IKW25N120T2 , IKW40N120T2 , SKB10N60A , IKI04N60T , IHW20N120R3 , IHW15N120R3 .