Справочник IGBT. IKI04N60T

 

IKI04N60T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKI04N60T
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 7 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20 pF
   Тип корпуса: TO262
 
   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKI04N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:561K  infineon
 ikp04n60t iki04n60t.pdf pdf_icon

IKI04N60T

IKP04N60T TrenchStop Series pIJIKI04N60TdsadsaLow Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) C Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5s Designed for :GE - Frequency Converters - Drives TrenchStop and Fieldstop techno

 ..2. Size:1017K  infineon
 iki04n60t.pdf pdf_icon

IKI04N60T

IKP04N60T TrenchStop Series pIJIKI04N60TdsadsaLow Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) C Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5s Designed for :GE - Frequency Converters - Drives TrenchStop and Fie

Другие IGBT... IHW30N120R2 , IHD06N60RA , IHW15T120 , IHW20T120 , IKW15N120T2 , IKW25N120T2 , IKW40N120T2 , SKB10N60A , IKW50N60T , IHW20N120R3 , IHW15N120R3 , IKP04N60T , IKP06N60T , IKP10N60T , IKP15N60T , IKP20N60T , SKP02N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.