IKP04N60T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKP04N60T  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 7 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20 pF

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKP04N60T

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKP04N60T даташит

 ..1. Size:394K  infineon
 ikp04n60t.pdf pdf_icon

IKP04N60T

IKP04N60T TrenchStop Series q Low Loss DuoPack IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s G E Designed for - Frequency Converters - Drives TrenchStop and Fieldstop technology for 6

 ..2. Size:561K  infineon
 ikp04n60t iki04n60t.pdf pdf_icon

IKP04N60T

IKP04N60T TrenchStop Series pIJIKI04N60Tdsadsa Low Loss DuoPack IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) C Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s Designed for G E - Frequency Converters - Drives TrenchStop and Fieldstop techno

Другие IGBT... IHW20T120, IKW15N120T2, IKW25N120T2, IKW40N120T2, SKB10N60A, IKI04N60T, IHW20N120R3, IHW15N120R3, JT075N065WED, IKP06N60T, IKP10N60T, IKP15N60T, IKP20N60T, SKP02N60, SKP04N60, SKP06N60, SKP10N60A