Справочник IGBT. IKP04N60T

 

IKP04N60T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKP04N60T
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K04T60
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 7 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 27 nC
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IKP04N60T

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKP04N60T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  infineon
 ikp04n60t.pdf pdf_icon

IKP04N60T

IKP04N60T TrenchStop Series q Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5s GE Designed for : - Frequency Converters - Drives TrenchStop and Fieldstop technology for 6

 ..2. Size:561K  infineon
 ikp04n60t iki04n60t.pdf pdf_icon

IKP04N60T

IKP04N60T TrenchStop Series pIJIKI04N60TdsadsaLow Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) C Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5s Designed for :GE - Frequency Converters - Drives TrenchStop and Fieldstop techno

Другие IGBT... IHW20T120 , IKW15N120T2 , IKW25N120T2 , IKW40N120T2 , SKB10N60A , IKI04N60T , IHW20N120R3 , IHW15N120R3 , IKW50N60H3 , IKP06N60T , IKP10N60T , IKP15N60T , IKP20N60T , SKP02N60 , SKP04N60 , SKP06N60 , SKP10N60A .

History: SKP04N60

 

 
Back to Top

 


 
.