IKP06N60T Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IKP06N60T
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 6 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 28 pF
Тип корпуса: TO220
IKP06N60T Datasheet (PDF)
ikp06n60t.pdf

IKP06N60TTRENCHSTOP Series pLow Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diodeFeaturesC Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) Maximum Junction Temperature 175C Short circuit withstand time 5s Designed for : GE- Variable Speed Drive for washing machines, air conditioners and inducti
ikp06n60trev2 3g.pdf

IKP06N60T TrenchStop Series p Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5s GE Designed for : - Variable Speed Drive for washing machines, air conditioners and induction cooki
Другие IGBT... IKW15N120T2 , IKW25N120T2 , IKW40N120T2 , SKB10N60A , IKI04N60T , IHW20N120R3 , IHW15N120R3 , IKP04N60T , CRG40T60AK3HD , IKP10N60T , IKP15N60T , IKP20N60T , SKP02N60 , SKP04N60 , SKP06N60 , SKP10N60A , SKP15N60 .
History: 7MBP75VDA120-50
History: 7MBP75VDA120-50



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet