SGD04N60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SGD04N60
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9.4 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 29 pF
Тип корпуса: TO252
- подбор IGBT транзистора по параметрам
SGD04N60 Datasheet (PDF)
sgd04n60.pdf

SGP04N60 SGD04N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for: - Motor controls GE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-25
sgp04n60 sgd04n60g.pdf

SGP04N60 SGD04N60 Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses C Short circuit withstand time 10 s Designed for: - Motor controls GE- Inverter NPT-Technology for 600V applications offers: - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behaviour PG-TO-25
lsgc04r035 lsgd04r035 lsge04r035 lsgg04r035 lsgh04r035 lsgn04r035.pdf

LSGC04R035/LSGD04R035/LSGE04R035/LSGG04R035/LSGH04R035/LSGN04R035Lonten N-channel 40V, 120A, 3.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS R GSDS(on),max@ V =10V 3.5mtechnology. This advanced technology has been I 120ADespecially tailored to minimize on-state resistance
Другие IGBT... IHW20N135R3 , SGP10N60A , SGB02N60 , SGB02N120 , SGD02N120 , SGD02N60 , SGB04N60 , SGW02N120 , FGW75N60HD , SGB07N120 , SGB06N60 , SGD06N60 , SGB15N120 , SGW15N120 , SGB10N60A , SGW25N120 , SGW10N60A .
History: IXGN200N60B | IHW50N65R5 | RJH1CV5DPQ-E0 | IRGIB7B60KD | IRG4IBC30FD | IXYR50N120C3D1 | SGT15T60SD1T
History: IXGN200N60B | IHW50N65R5 | RJH1CV5DPQ-E0 | IRGIB7B60KD | IRG4IBC30FD | IXYR50N120C3D1 | SGT15T60SD1T



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568