Справочник IGBT. SGW20N60

 

SGW20N60 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGW20N60
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: G20N60
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 107 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 100 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SGW20N60

 

 

SGW20N60 Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGB15N120 , SGW15N120 , SGB10N60A , SGW25N120 , SGW10N60A , SGB15N60 , SGW15N60 , SGB20N60 , MBQ60T65PES , SGB30N60 , SGW30N60 , SGP02N60 , SGP04N60 , SGP06N60 , SGP15N60 , SGP20N60 , SGP30N60 .